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简答题简述SRAM和DRAM的各自特点。
  • DRAM的基本存储电路采用4管型、3管型和单管型，单管型因集成度高而被广泛使用。DRAM的信息以电荷形式存于MOS管的极间电容上，由于电容泄漏电流的存在，电荷流失因而导致信息消失，为此必须每隔一定时间（2-8MS）以内进行刷新，DRAM的基本存储单元简单，故集成度高功耗小。但RAM的周期性刷新工作需要外部电路的支持。
    DRAM一般用于组成大容量、高速的RAM存储器，S.RAM基本存储单元由6只MOS管组成。这种存储电路的读出是非破坏性的，数据读出后原单元信息仍保持不变。不需另加刷新，简化了外部电路。由于SRAM基本存储电路所含管子数目多因而集成度略低，多选用在小系统计算机中。

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