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简答题兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?
  • 兴奋性突触后电位(EPSP)形成机制是:兴奋性递质作用于突触后膜上受体,提高后膜对Na+、K+,尤其对Na+通透性,Na+内流导致膜去极化,提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位(ISP)形成机制是:抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上Cl-通道开放,Cl-内流使膜电位发生超极化,降低了突触后神经元兴奋性。
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