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简答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
  • （1）门极电压最高绝对值小于20V
    （2）门极阈值电压为2.5~5V
    （3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
    （4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
    （5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
    （6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
    （7）控制电路与驱动电路应隔离
    （8）简单实用，有保护，抗干扰强

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