试题详情
- 单项选择题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
E、除A以外都对
- E
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