试题详情
- 单项选择题当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）
A、雪崩击穿
B、齐纳击穿
C、热击穿
D、碰撞击穿
- A
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图
- 场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决
- 多级直接耦合放大电路的主要问题是什么？如
- 右下图（a）所示电路，已知ui
- 波特图是用曲线描绘出放大器的频率特性。
- 出图示电路中vO与
- 桥式整流电容滤波电路，输入交流电压的有效
- 放大电路如图所示，已知输入信号ui=0.
- 当场效应管被预夹断后，ID
- 在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）
- 采用石英晶体振荡电路的主要目的是（）。
- 电路如图所示，三极管的饱和压降为0.3V
- 已知稳压管的稳定电压UZ
- 图示放大电路中，三极管的β＝30，U
- 在二极管的主要参数中，最大整流电流IF指
- 电路如图所示，运放均为理想的，试求输出电
- 在有源滤波器中，运算放大器工作在（）区；
- 电流并联负反馈可以稳定放大电路的（），并
- 当差动放大器两边的电压分别为Ui1=-5
- 在负载电流比较小时且其变化也比较小的时候