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简答题LED和LD的主要区别是什么
  • L.ED本质上是非相干光源，它的发射光谱就是半导体材料导带和价带的自发辐射谱线，所以谱线较宽。对于用GaAlAs材料制作的LED，发射光谱宽度约为30~50nm，而对长波长InGaAsP材料制作的LED，发射谱线为60~120nm。因为LED的光谱很宽，所以光在光纤中传输时，材料色散和波导色散较严重，这对光纤通信非常不利。
    L.D有多模激光器和单模激光器之分。多模激光器指的是多纵模或多频激光器，模间距为0.13~0.9nm。通常高速传输系统用的半导体激光器的频谱宽度为5nm。单模激光器的频谱宽度因为很窄，所以称为线宽，它与有源区的设计密切相关。

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