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简答题试说明Flash  Memory芯片的特点及28F040的编程过程。 
  • F.lash  Memory也称为“闪速存储器”，有时直接称之为“Flash”。Flash既有ROM非易失性的特点，又能够在线擦除和重写，既可读又可写，同时有很高的存取速度，具有集成度高，价格低，耗电少等优点。目前存取速度已突破了30ns，掉电后信息可以保持10年。
    F.lash的编程方法与E2PROM相同，28F040的编程写入过程采用字节编程方式。首先，向28F040状态寄存器写入命令10H，再在指定的地址单元写入相应数据。接着查询状态，判断这个字节是否写好，若写好则重复上面过程写入下一个字节，直到全部字节写入。28F040的编程速度很快，一个字节的写入时间仅为8.6μs。

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