试题详情
- 简答题简述“侧面长大”方式的三种机制。
-
二维晶核机制:台阶在界面铺满后即消失,要进一步长大仍须再产生二维晶核。
螺旋位错机制:这种螺旋位错台阶在生长过程中不会消失。
孪晶面机制:长大过程中沟槽可保持下去,长大不断地进行。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述晶粒游离。
- 简述减少和排除夹杂物的途径。
- 防止铸件产生热裂的措施有哪些?
- A-B二元合金原始成分为C
- 何谓结晶过程中的溶质再分配?平衡分配系数
- 简述成分过冷的单相合金四种宏观生长方式。
- 偏晶合金的最终显微形貌将要取决于()、(
- 简述粗糙界面和平整界面。
- 宏观偏析
- 用相变热力学分析为何形核一定要在过冷的条
- 分过冷降低了实际过冷度,阻碍了晶体的生长
- 浇注温度的影响有什么?
- 绝大多数金属或合金的生长是二维晶核生长机
- 成分过冷判据的通式为?成分过冷大小受哪些
- 简述合金。
- 共生生长
- 如何从液态金属的结构特点解释自发形核的机
- 共生生长具备的两个基本条件是什么?
- 如何由实验确定单相合金的动态凝固曲线?单
- 简述“外生生长”与“内生生长”的概念。