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简答题兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？
  • 兴奋性突触后电位（EPSP）形成机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上受体，提高后膜对Na+、K+，尤其对Na+通透性，Na+内流导致膜去极化，提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位（ISP）形成机制是：抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上Cl-通道开放，Cl-内流使膜电位发生超极化，降低了突触后神经元兴奋性。

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