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简答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
  • GTR有二次击穿现象，而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极性器件主要依靠少数载流子的注入传导电流，少数载流子的注入密度随结温升高而增大。电流的增大使结温进一步升高，从而使得电流与结温之间具有正反馈的关系。而功率MOSFET主要依靠多数载流子导电，多数载流子的迁移率随温度的上升而下降，其宏观表现就是漂移区的电阻升高，电阻升高会使电流减小，电流的减小使得结温下降，从而使得电流与结温之间呈负反馈关系。该特性不仅使得功率MOSFET没有热反馈引起的二次击穿现象，其安全工作区大大增大。

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