试题详情
- 单项选择题根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
A、NPN型低频小功率硅晶体管
B、NPN型高频小功率硅晶体管
C、PNP型低频小功率锗晶体管
D、NPN型低频大功率硅晶体管
- B
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 在如下图所示电路中,已知U2<
- 差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出
- 在下图所示电路中,N为含源二端电路,现测
- 表明晶体管质量优劣的主要参数是()。
- 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图
- 在图示电路中,设R1
- 在分析功率放大器时应采用图解法。
- 积分运算电路可以将方波电压转换为()电压
- 运放的参数共模抑制比,体现了()。
- 电容滤波通常取RLC为脉动电压中最低次谐
- 对于共射、共集和共基三种基本阻态放大电路
- 电路如右下图所示。试求输出电压u
- 在图所示电路中,已知VCC
- 下图所示电路中,V1
- 在互补推挽功率放大电路中,给功率管设置适
- 电路如题图。已知V1
- 电路如图所示,求输出电压uo<
- 乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现
- 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,滞回
- 电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形