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单项选择题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大

B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比

C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降

D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化

  • C

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