试题详情
- 简答题V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。
- 施主；施主电离；导带电子导电
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 如果离子晶体中离子总的相互作用势能为：
- 说明组织与结构的差异以及怎样通过控制它们
- 当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子
- 简述晶体蠕变的主要机制，并分析蠕变变形过
- 按照格里菲斯微裂纹理论，材料的断裂强度不
- 试说明滞弹性内耗的特征以及它与静滞后型内
- 简述如何提高无机材料的透光性
- 考虑原子质量为M，晶格常数为a的无限长
- 一部热机部件由反应烧结氮化硅制成，其热导
- 简述影响材料变形能力的关键因素。
- 价带（Valence band）
- 请写出复介电常数表达式及其含义
- 超导现象的物理机制是什么？
- 格波：（）支、（）支
- 对晶格热振动进行正则坐标变换的意义是什么
- 光在界面反射的多少取决于：（）
- 荧光材料由（）和（）组成，前者的主要作用
- 无机材料绝缘电阻的测量试样的外径&phi
- 热传导
- 散射是电子运动受阻的主要原因，包括（）、