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简答题简述二极管的反向击穿机理
  • 反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当反向电压过大,超过一定限度,反向电流就会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。
    反向击穿按照机理不同分为雪崩击穿、齐纳击穿两种形式。
    雪崩击穿:反向电压增大,空间电荷区的电场强度增大,使从中性区漂移进入空间电荷区的载流子被加速获取很高动能,这些高能量、高速载流子撞击晶体点阵原子使其电离(碰撞电离) ,产生新的电子空穴对,新产生的电子与空穴被加速获取能量,产生新的碰撞电离,使载流子迅速成倍增加, 即雪崩倍增效应,导致载流子浓度迅速增加,反向电流急剧增大,最终PN结反向击穿。
    齐纳击穿:重掺杂浓度的PN结,一般空间电荷区很窄,空间电荷区中的电场因其狭窄而很强,反偏又使空间电荷区中的电场强度增加,空间电荷区中的晶体点阵原子直接被电场电离,使价电子脱离共价键束缚,产生电子空穴对,使反向电流急剧增加。
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