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简答题制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;当)?
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