试题详情
- 单项选择题使用activator治疗时下颌每前移1mm可以产生()
A、50g力
B、100g力
C、200g力
D、150g力
E、300g力
- B
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 双颌或双牙弓前突()
- 增加磨牙支抗时,口外弓每日戴用时间为()
- 患者,女,9岁,上颌前牙内倾,覆12mm
- Begg细丝弓矫治技术中,每侧要维持Ⅱ类
- 简述错畸形的临床表现。
- 下颌第一磨牙近中颊尖咬在上颌第一,磨牙的
- Begg矫治器带环颊面管的内径为()
- 矫治时应推上牙弓向后或牵下牙弓向前()
- 下列哪项矫正技术托槽是矫治器的关健部件(
- 患者,男,5岁,前牙反,后牙近中错,反覆
- 经垫舌簧矫治器治疗后,多数前牙反解除后原
- 要抑制上颌向前生长或推上颌磨牙向远中,牵
- 毛氏分类的提出是在()
- 记存模型的用途为()
- 我国儿童的错畸形发生率达()
- 关于口外上颌前方牵引矫治器说法正确的是(
- 口腔不良习惯占各类错畸形的()
- 口外支抗类矫治器的口外抗基部位为()
- 下列关于直丝弓矫治器的矫治特点,错误的是
- 关于正畸牙根吸收,叙述正确的是()