试题详情
- 简答题简述半导体的导电特性。
- 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。利用这个特性,可制造出各种半导体器件。
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电
- 放大器中Q点设置得偏低时将首先产生饱和失
- 判断下图所示电路的反馈组态,估算电压放大
- 在差分放大器中,已知Vi1
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降
- 某NPN型三极管的输出特性如图所示,当U
- 下图所示电路中,稳压管V1
- 长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因
- 正弦波振荡器振荡条件是什么?负反馈放大电
- 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂
- 单级放大电路如图3-1:在输入信号的中频
- 电路如图所示,Tl
- 电路如图(a)所示,其中电容C1、C2的
- ()比例运算电路的特例是电压跟随器,它具
- 电压比较器中的集成运放通常工作在()区,
- 如下图所示的运算放大器,试求:&ensp
- 稳定静态工作点,应引入()
- 画出PMOS耗尽型FET的转移特性与输出
- 图示放大电路中,三极管的β=30,U
- 以集成运放作为放大电路,引入合适的负反馈