试题详情
- 单项选择题下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
A、与试件上总的磁通密度有关
B、与缺陷自身高度有关
C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
D、以上都对
- D
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