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简答题对以下存储芯片中所采用的新技术做简要说明：同步、突发、页模式、双存储体、时钟脉冲上升沿和下降沿均传输数据。
  • 同步是指对存储器的读/写采用和CPU（或系统总线）相同的频率（对CPU，指外频）。突发是指在提供一个地址后，存储器能自动预测其后的地址，并自动进行预取，从而加快访问速度。可以理解成连续数据输出。
    页模式是指，将位于DRAM存储矩阵中同一行的所有基本存储单元称为一页，通过保持同一个行地址而改变列地址实现对同一页的连续访问，减少了建立行地址的延时，从而提高连续数据访问的速度。双存储体是SDRAM内部采用的一种结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU对一个存储体阵列访问数据的同时，另一个已经准备好读/写数据。通过2个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍的提高。时钟脉冲上升沿和下降沿均传输数据是指在存储器的时钟脉冲上升沿和下降沿都传输数据，而未采用此技术之前一个时钟脉冲内仅进行一次数据传输，所以采用该技术，可使数据传输率提高一倍。当然，要实现时钟脉冲上升沿和下降沿均传输数据，需要有深层次的技术（如延时锁定环、多存储体等）作依托。

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