试题详情
简答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
  • GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。

  • 关注下方微信公众号，在线模考后查看

热门试题