试题详情
- 简答题已知某DRAM芯片的内部结构为128×128，存取周期为1us。试分析： （1）若采用集中式刷新方式，刷新时间间隔为1ms，则读写时间和刷新时间分为多少个周期？死区占多少时间？ （2）若采用分散式刷新方式，则相邻两行之间的刷新间隔是多少？
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