试题详情
- 简答题电路如图所示。设晶体三极管的参数相同,发射结面积相同。且有Ia>>IB1,Ib>>IB4,试利用跨导线性原理,推导出Io/Ii关系式。
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 如果变压器二次(即副边)电压的有效值为1
- 晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分
- 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都
- 在图所示电路中,设二极管为理想的,且uI
- 根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,
- 希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流
- 设运放是理想的,试分析如图所示正弦波振荡
- 在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导
- 对称星形连接的三相负载Z=6+j8&Om
- 下图所示电路中,稳压管V1
- 电路如图P2.2(a)所示,图(b)是晶
- 电路如图所示,求uo
- 已知电路中三极管的各极电位值,判断图中各
- 差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(),
- MOSFET所代表的电气元件是()
- 单结晶体管的伏安特性是怎样的?
- 二极管组成的整流电路,是利用了它的()
- 电路如图T6.1所示,它是()正弦波振荡
- 由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作
- 共模抑制比KCMR为()之比,KCMR越