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单项选择题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

A、它与试件上的磁通密度有关

B、它与缺陷的高度有关

C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

D、以上都对

  • D

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