试题详情
简答题简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。
  • （1）H原子对硅材料中的体缺陷和晶界起到钝化作用，降低表面复合速度，进而提高VOC和ISC。
    （2）氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能，以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
    （3）氮化硅膜具有很高的正电荷密度，3～4×1012cm-3，有利于N区多子通过。制备工艺：使用PECVD法制备。在反应炉内通入SiH4和NH3（或N2）气体，使它在硅晶表面产生一层非晶氮化硅减反膜，在减反膜里含有原子比例约为40℅的氢原子。

  • 关注下方微信公众号，在线模考后查看

热门试题