试题详情
- 简答题简述电结晶时理想晶面和实际晶面的生长过程。
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(1)理想晶面的生长过程:到达电极上的离子先在平面位置上放电,成为吸附原子,然后扩散到生长点,编入晶格。每层晶面的长大是由生长点沿生长线一排排完成的。每层晶面长满后,生长点和生长线都消失了。新的一层晶面开始生长时,必须在已长满的一层完整晶面上形成二维晶核,以作为新晶面生长的起点。理想晶体就是这样按顺序一层层地长大的。
(2)实际晶面生长过程:绝大多数实际晶体在生长过程中并不需要形成二维晶核。由于实际晶体中总是包含大量的位错,如果晶面绕着位错线螺旋式生长,生长线就永远不会消失。沿着位错线生长是实际晶体的主要生长方式,这是因为该方式消耗能量少,不需要高的过电位而容易进行。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
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