试题详情
- 简答题一个MOSFET的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问： （1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N沟道还是P沟道FET？ （3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT？其值等于多少？
- 由图可见，它是P沟道增强型MOSFET，其VT=－4V。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足
- 差动放大电路的四种输入输出方式是（），（
- 回答下列问题： （1）图示为一个什么门的
- 当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为
- 场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压
- 设图电路中三极管的β=60，V
- 直流稳压电源一般由（）组成。
- 简述利用三极管组成放大电路的基本原则。
- 桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特
- 某一放大电力路的放大倍数A=10
- 试利用理想集成运放构成一个实现i
- 某同学连接的文氏桥振荡电路如图6-2所示
- 电路如图所示，A1
- 差分放大电路的共模抑制比越大，说明其抑制
- N沟道结型场效应管中的载流子是（）
- 两极阻容耦合放大电路如图所示，试指出其交
- 判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通
- 半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半
- 在图P5.14所示电路中，已知R
- 结型场效应管的漏极、源极可调换使用。