试题详情
- 简答题一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
-
采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 处理器运算的计数周期包括（）
- 浮点数的表示范围由浮点数的（）部分决定。
- IEEE754标准，一个浮点数由符号位（
- x存放在寄存器%eax中，c语言x<<2
- DMA方式一般用于高速传送成组数据。
- 控制器有哪些基本功能？它可分为哪几类？分
- 计算这样一个磁盘的容量，它有2个盘片，1
- 画出计算机硬件组成框图，说明各部件的作用
- 在一个计算机系统中，下列说法正确的是（）
- 一个数的反码为11111111，则这个数
- 利用（）指令可以使CPU暂停。
- CPU对DMA请求和中断请求的响应时间是
- 采用虚拟存储器的主要目的是（）。
- 程序控制指令包括（）指令。
- 半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？
- 目前软盘中常用的磁记录方式是（）。
- 简要说明提高访存速度可采取的措施。
- 下列磁盘数据记录方式中，不具有自同步能力
- 计算机硬件能够识别并直接执行的指令称为（
- 常用的刷新控制方式有：（）、（）和（）三