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简答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
  • 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大,与普通晶闸管接近,在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管,开关特性好,在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,所需驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但电流容量小,耐压低,一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率系统的主导器件,并正在提高电压、电流容量,将取代GTO的地位。
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