试题详情
- 单项选择题Hawley上颌矫治器的支抗主要来源于()
A、磨牙卡环
B、唇弓
C、基托
D、间隙卡
E、带环上的托槽
- C
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- Begg技术把整个矫治过程分为三期,第一
- 下颌平面指的是()
- 替牙期轻中度拥挤治疗错误的是()
- 面中部发育不良易导致哪种错畸形()
- 在错畸形的检查诊断中,下列哪项不符合()
- 据北医大对口腔正畸病因统计,口腔不良习惯
- 唇腭裂患者可能的正畸治疗不包括()
- 环托式矫治器是谁设计研制的()
- 出生后面部的生长发育,长度、宽度、高度的
- 切导斜度是指()
- 下列哪种矫治器需要咬合重建()
- 早期矫治的临床特点不包括()
- 关于舌习惯,下列说法不正确的是()
- 颡下颌关节紊乱病正畸治疗的目的是()
- 下颌切牙的严重拥挤常由于()
- 在直丝弓矫正技术中,为防止前牙唇倾与覆加
- 乳尖牙的近中和远中出现间隙称为()
- 有关下颌骨的生长,以下哪项描述是错误的(
- 常用的缺隙保持器有()
- 丝圈式缺隙保持器()