试题详情
单项选择题考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

A、15μs

B、225μs

C、1.5μs

D、20μs

  • A

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