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简答题叙述EPROM的编程过程，说明EEPROM的编程过程。
  • PROM的编程有两种方式，即标准编程和灵巧编程两种方式。标准编程的过程为：使Vcc为+5v，Vpp加上+21v。而后，加上要编程的单元地址，数据线加上要写入的数据，使CE保持低电平，OE为高电平。当上述信号稳定后，在PGM端加上50±5ms的负脉冲。这样就将一个字节的数据写到了相应的地址单元中。重复上述过程，即可将要写入的数据逐一写入相应的存储单元中。灵巧编程方式要比标准方式快5倍左右。当加上Vcc=5v，Vpp=21v后，对一个写入地址，用1ms编程脉冲进行编程，接着进行校验，如不成功，再加1ms编程脉冲。最多可进行15次，若15次仍不能将数据正确写入，则认为芯片本身已损坏。若某一单元用X次1编程脉冲已正确写入，校验到这种情况后，立即对该单元加入4倍X的编程覆盖脉冲，则认为该单元编程已完成。重复上述过程，将所有要写入的单元编程。将数据写入EEPRO有M两种方式，即字节方式和自动页写入。在对EEPRO编M程时，可以在线操作。

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