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简答题简述氯化铵法测定二氧化硅的注意事项。
  • （1）二氧化硅沉淀在950～1000℃的马弗炉中一定要烧透。置于干燥器中冷却要保确保冷至室温。空坩埚与带有沉淀的坩埚冷却时间应保持一致。
    （2）用砂浴或红外线灯进行蒸发，必须严格控制温度在100～110℃，不应过高，否则由于形成难溶性碱式盐，将使二氧化硅分析结果偏高。
    （3）过滤时应迅速进行，防止放置时间过久，否则因溶液温度降低，硅酸凝胶有可能形成胶冻而使过滤困难。
    （4）灰化时，应将坩埚盖半开，不能使滤纸产生火焰，因为细微的二氧化硅颗粒会因火焰的跳动而飞走。必须将滤纸充分灰化后，方可在高温下灼烧沉淀，否则由于生成难于燃烧的炭，而使结果偏高。
    （5）灼烧后的二氧化硅很疏松，所以在用氢氟酸处理前加水润湿时，应用滴管沿坩埚壁缓慢加入，以防距离太高易使沉淀飞出。
    （6）用氢氟酸处理后的残渣在用焦硫酸钾熔融时，应在低温下熔融。温度太高，焦硫酸钾分解太快，使残渣熔融不完全。

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