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简答题简述开关器件驱动电路的基本要求
  • 基本要求：
    ① 改善器件动静态性能：作为功率开关希望减小器件损耗，驱动电路应保证器件的充分导通和可靠关断以降低器件的导通和开关损耗。
    ② 实现与主电路的电隔离：由于大多数主电路是高电压格局，要求控制信号与栅极间无点耦合。
    ③ 具有较强的抗干扰能力：目的是防止器件在各种外干扰下的误开关，保证器件在高频工况下可靠工作。
    ④ 具有可靠地保护能力：当主电路或驱动电路自身出现故障时，驱动电路应迅速封锁输出驱动信号并正确关断器件以保证器件的安全。
    （1）电压驱动型器件（电力MOSFET和IGBT）的驱动电路的基本要求
    ① 为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。
    ② 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~20V。
    ③ 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。
    ④ 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右） 可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。
    （2）电流驱动型器件的驱动电路的基本要求 SCR触发电路的基本要求：
    ① 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通，比如对感性和反电动势负载的变流器应采用宽脉冲或脉冲列触发。
    ② 触发脉冲应有足够的幅度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3~5倍，脉冲前沿的陡度也需增加，一般需达1~2A/us。
    ③ 触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。
    ④ 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。
    GTO触发电路的基本要求：
    开通控制与普通晶闸管相似，但对触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流，使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高。
    GTR触发电路的基本要求：
    开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。

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