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简答题GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
  • 缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。

    关断过程：Cs与GTR集射极并联，利用Cs两端电压不同突变的原理延缓关断时集射极间电压Uce上升的速度，使Uce达最大值之前集电极电流Ic已变小，从而使关断过程瞬时功耗变小。R是限制GTR导通时电容的放电电流。
    开通过程：Ls与GTR串联，延缓了集电极电流的增长速度，且当电流急剧增大时会在其上产生较大压降，使得集射极电压在导通时迅速下降。这样电压、电流出现最大值的时间错开，关断时功耗明显减小

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