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单项选择题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。

A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥

C、集力敏与力电转换检测于一体

D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。

  • D
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