试题详情简答题简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。正确答案： 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。 （1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。 （2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。 （3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。 答案解析：关注下方微信公众号，在线模考后查看热门试题反应球磨弥散强化合金按其弥散相的种类大体可分为哪简述触变铸造与流变铸造的异同？简述分子束外延装置特点简述模压成型工艺优缺点简述温度梯度分布对晶体生长方式的影响微注射简述结构特点、热力学模型和动力学模型三个热力学燃烧温度注射缺陷简述电解溶质法原理简述材料制备技术的学习目的和方法？简述溶液法最关键因素用喷射成形技术制备复合材料时有什么优势？金属间化合物的特性有哪些？喷射成形简述纳米材料制备过程中的问题自蔓延高温合成简述降温法原理半固态金属流变成形的关键技术包括哪些？
