试题详情
- 单项选择题降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、变为0
- B
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900
- 什么叫额定值?什么情况下要考虑降额使用?
- 树脂的外形为()的球状颗粒。
- 铜互连金属多层布线中,磨料的粒径一般为(
- 我们可以通过简单的结深测量和()测量来获
- 半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()
- 请说明表面安装元件上文字的含义及元件名称
- 绘制电原理图中的连线,应遵循什么原则?
- 电容器有哪些技术参数?哪种电容器的稳定性
- 什么叫气泡遮蔽效应?什么叫阴影效应?SM
- 选用电声元件时应注意哪些问题?
- 二氧化硅膜的质量要求有()。
- 静电偏转电极和静电扫描器都是()电容器。
- 下列哪些因素不会影响到显影效果的是()。
- 电原理图的绘制有哪些注意事项?
- 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项
- 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,
- 什么叫TFT技术?TFT技术的主要特点是
- 电荷积分仪的基本单元包括()。