试题详情
- 单项选择题在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A、4～6h
B、50min～2h
C、10～40min
D、5～10min
- C
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的
- 数字集成电路的电源滤波应该如何进行？为什
- He，OH，Na等元素在900℃下，在二
- 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表
- 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质
- 二氧化硅膜的质量要求有（）。
- 下列可作为磷扩散源的是（）。
- 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
- 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的
- 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
- 显像管由哪几部分组成？显像管是如何分类的
- 恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（
- 半导体硅常用的受主杂质是（）。
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）
- 请说明铅锡焊料具有哪些优点？
- 绘制电原理图中的连线，应遵循什么原则？
- 下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。
- 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数
- 试说明下列SMC元件的含义：3216C，
- 引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还