试题详情
- 简答题试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理?
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(1)EPSP:突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。
原理:兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体,使递质门控通道开放,后膜对Na+和K+的通透性增大,并且由于Na+的内流大于K+外流,故发生净内向电流,导致细胞膜的局部去极化。
(2)IPSP:突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。
原理:抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突出后膜,使后膜上的递质门控氯通道开放,引起外向电流,结果使突出后膜发生超极化。
作用:突出后膜上电位改变的总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
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