试题详情
- 简答题硅二极管的死区电压大致为()左右;锗二极管的死区电压大致为()左右。
- 0.5~0.7V;0.1~0.3V
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 什么是共模抑制比
- 普通调幅信号的包络与调制信号的幅度变化规
- 谐振的特点是()
- 电动势为E,内阻为r的电源,外接负载电阻
- 有一单相半波可控整流电路,RL
- 单边带高频信号的成分有()。
- 高频调谐功率放大器中,当频率升高时,晶
- 画出正弦量u(t)=10cos(ωt+3
- 请将下列各式化简为最简与或式。 用卡
- 一个N位逐次逼近型A/D转换器完成一次转
- 下图所示门电路的逻辑式为()
- 什么是竞争与冒险现象?如何消除?
- 增加功率因素就是增大电压与电流间的相位差
- 下面电路中()工作在放大状态
- 根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为
- 组合电路的特点是:任意时刻的输出与电路的
- N型半导体中,多数载流子是()
- 电路如图所示,测得图a)所示放大电路的输
- 放大电路必须设置合适的静态工作点,才能正
- 正脉冲