试题详情
- 简答题目前为什么大多研究单位将平面型阴极型FED作为研究重点?
- 三极管结构中按栅极位置的不同,可分为前栅型FED、后栅型FED和平面栅型FED。前栅型FED在制造过程中容易破坏场致发射源,另外器件的均匀性难以保证。后栅型FED是将栅极埋在阴极之下,解决了前栅结构的制作困难问题,但是该结构失去了栅极对阳极的屏蔽作用,因此不能提高阳极电压,否则会直接使阴极产生场致电子发射。前栅与后栅场致发射显示器都需要制作绝缘层,而大面积的绝缘层制作对设备及工艺要求很高,且绝缘性能很难保证,故器件成本高,不易实现大面积显示。
而平面栅型FED是将阴极与栅极做在同一个平面上,阴极与栅极中间由微小间隙隔开平行分布。采用普通的光刻工艺一次性就可以在基片上完成阴极与栅极的制作,避免了前栅与后栅结构中绝缘层及上电极的制作,大大降低了工艺的复杂性及难度。由于制作工艺简单,制作成本远小于前栅和后栅结构,故平面栅型场致发射显示板更易大面积化和实用化。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述液晶相的分类。
- 简述柔性OLED显示的优点。
- 简述有源矩阵液晶显示器的主要组成部件。
- 简述小分子OLED与高分子PLED的优缺
- 用对比的方法描述ODF与传统液晶注入方式
- 请画出常白型TN液晶显示器的显示原理图,
- 举例说明色差问题产生的原因。
- 简述倒置型OLED面临的两个主要问题。
- 简述3D技术的特点。
- 简述液晶显示器的分类及英文缩写。
- 简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法
- 试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺
- 简述漏光产生的原因。
- 简述VFD的局限性及发展。
- 简述LED背光源的优势。
- 简述电容式触摸屏的优点。
- 简述场致发射的结构及原理。
- 如何提高开口率?并举例说明。
- 简述底发射型OLED的优点。
- 简述Förster能量转移和D