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简答题试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
  • 1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

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