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简答题分析n沟道2T1C驱动电路的缺点？并解释为什么a-Si：H TFT驱动OLED会有困难？
  • n沟道2T1C驱动电路中，T2管的栅源电压VGS由信号电压和OLED电压决定。该电路有两个缺点：
    1）一部分信号电压施加到了OLED上，而不是全部施加到驱动TFT的栅极上。要获得同p沟道相同的像素电流，需要更高的信号电压；
    2）驱动TFT的栅源电压要受到OLED性质的影响，可能会随着制造工艺中OLED器件的不同而变化，也可能随着OLED工作时间而变化。
    a.Si：H TFT是n沟道的薄膜晶体管，不能制作出p沟道的TFT，要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT，驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构，对OLED制备工艺的难度要求较低，OLED的性能好。

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