试题详情
- 简答题简述PVA技术和MVA技术的主要不同。
- 1)凸起物不同,MVA技术的上、下基板上间隔分布着三角棱状的凸起物,经垂直取向后,液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PVA技术直接改变了液晶显示器单元像素结构,采用透明的ITO层代替MVA中的凸起物,具有更好的开口率、高的显示亮度,最大限度减少背光源的浪费。
2)电极结构不同,MVA技术的下基板上形成像素电极,光刻出像素电极的形状,而上基板的ITO电极是一个整面的结构,不需要光刻出图形。PVA型液晶显示器上基板的ITO电极,不再是一个完整的ITO薄膜,而是光刻出一道道平行的缝隙。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述铁电液晶的工作原理。
- 采用动态驱动法,分析显示一个数字“2”,
- 分析交叉串扰产生的原因。
- 简述灰度级和颜色数的关系?并举例说明。
- 简述COG工艺的连接原理。
- 简述PDP显示的面板结构。
- 源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al
- 为什么ODF工艺更适合5代线以上的生产线
- 简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺
- 传统的液晶注入方式的工艺流程。
- 简述三种彩色电视制式的特点和差异。
- 简述FFS技术与IPS技术的差别。
- 简述LED背光源的优势。
- 简述氧化物薄膜晶体管的特点。
- 简述ELA技术制备LTPS TFT的缺点
- 分析n沟道2T1C驱动电路的缺点?并解释
- 简述FFS技术中电极和电场的特点。
- 简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一
- 简述VFD的局限性及发展。
- 非晶硅半导体有什么特点?非晶硅是哪种半导