试题详情
- 简答题简述FFS技术与IPS技术的差别。
- 1）电场不同，IPS技术中一个电极是金属电极，另一个电极是ITO像素电极，电极间距大。在FFS技术中两个电极都是透明的ITO电极，电极间距小；
2）存储电容面积不同，IPS技术用ITO的像素电极和金属材料为条形结构，存储电容面积小。FFS技术第一层ITO的共用电极制作成矩形，第二层像素电极ITO制作成长条形，存储电容面积大。 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 简述液晶显示器闪烁形成的原因。
- 简述分子轨道理论。
- 试画出9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的等效电
- 简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一
- 简述有机材料和无机半导体材料的相同点和不
- 简述Förster能量转移和D
- 分析COF工艺和COG工艺哪种更适合高分
- 简述CRT显示的原理。
- 简述COF工艺特点。
- 简述FED和CRT的区别。
- 简述有源矩阵液晶显示器的主要组成部件。
- 简述扭曲效应显示器件和超扭曲向列液晶显示
- 简述铁电液晶的工作原理。
- 简述FFS技术与IPS技术的差别。
- LED主要制作工艺是怎样的？
- 举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。
- 举例说明广视角技术的设计原则。
- 简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
- 简述聚焦型FED的结构特点和性能优点。
- 简述SLS技术、SGS技术、SPC技术的