试题详情
- 简答题分析叠层存储电容带来的优点和工艺特点。
- 优点：叠层存储电容由垂直堆叠的两个并联存储电容构成，电容量是具有同样面积的传统电容的两倍，且存储电容在薄膜晶体管的上面，不用单独占用像素区域，开口率明显增大。
工艺流程为：首先在衬底基板上制作上一层衬底薄膜，如15nm左右的SiO2。在SiO2上面生长一层非晶硅薄膜，通过晶化形成多晶硅薄膜。接着形成栅极绝缘层和栅极，然后进行掺杂。对沟道两侧进行n型重掺杂后，与中间接近本征区形成了n沟道的p-Si TFT。像素结构中的薄膜晶体管一般也是n沟道的p-Si TFT。遮挡住n沟道的p-Si TFT，对驱动电路部分的另一个薄膜晶体管进行p型重掺杂，与中间的接近本征区形成了p沟道的p-Si TFT，形成CMOS驱动电路。 关注下方微信公众号，在线模考后查看
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