试题详情
- 单项选择题刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A、选择性
B、均匀性
C、轮廓
D、刻蚀图案
- B
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 请叙述手工焊接贴片元器件与焊接THT元器
- 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成(
- 电子工艺技术人员的工作范围是哪些?
- 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸
- 引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还
- 电子工艺学有哪些特点?
- 电子工业常用的专用胶有哪些?各类胶的特点
- 电子产品的设计文件有哪些种类?各起什么作
- 请说明SMT中元器件贴片机的主要结构是什
- 数字集成电路的电源滤波应该如何进行?为什
- 静电释放带来的问题有哪些()。
- 试总结焊接的分类及应用场合是什么?
- 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在
- 请说明表面安装元件上文字的含义及元件名称
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间()。
- 通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中
- 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的
- 如何合理选用电烙铁?
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩