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简答题简述偏移结构的制作过程。
  • 制作过程为：
    1）光刻刻蚀栅极，保留栅极上面的光刻胶；
    2）利用带着光刻胶的栅极图形做掩膜对源区和漏区的低温多晶硅进行自对准重掺杂；
    3）在光刻胶的保护下对栅极进行再刻蚀。栅极金属的侧面没有保护会有一定程度的刻蚀称为侧蚀，从左右两侧开始侧蚀，栅极图形变小，小于沟道的低温多晶硅区，形成源区、漏区附近的一段没有重掺杂的Los区域，阻抗很高，可以减小关态电流，但开态电流也跟着减小。

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