试题详情简答题单晶材料制备中区域熔化法的原理。正确答案:区域熔化技术是半导体提纯的主要技术。也可以作为一种单晶生长技术,因为在用它进行提纯时的确常常得到单晶。要制备单晶,可将单晶体籽晶放在料舟的左边。籽晶须部分熔化,以便提供一个清洁的生长表面。然后熔区向右移动,倘若材料很容易结晶也可以不要籽晶。热源可以是熔体、料舟或受感器耦合的射频加热。其他热源包括电阻元件的辐射加热、电子轰击以及强灯光或日光的聚焦辐射。答案解析:关注下方微信公众号,在线模考后查看热门试题微注射喷射共沉积可以把球磨粉末分为哪些?解释类质同像并指出发生类质同像的必备条件何谓复合铸造?热力学燃烧温度简述CVD技术的反应原理简述分子束外延装置特点射成形的基本原理是什么?其基本特点有哪些简述注射技术及其应用水热生长体系中的晶粒形成可分为哪些类型?球磨介质简述单晶材料制备中定向凝固法原理。简述块体纳米材料存在的问题及解决方案机械合金化的定义及球磨机理是什么?简述纳米材料制备过程中的问题简述热壁LCVD装置简述在碱催化条件下,TEOS的水解属于亲反应喷射沉积简述激光快速成形方式的分类