试题详情
- 单项选择题下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些()。
A、干氧氧化
B、湿氧氧化
C、水汽氧化
D、与氧化方法无关
- A
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 数字集成电路的输入信号电平可否超过它的电
- 总结使用集成电路的注意事项是什么?
- 下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主
- 电子工艺学有哪些特点?
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加
- 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数
- 试叙述焊接操作的正确姿势是什么?
- 选用电声元件时应注意哪些问题?
- 请叙述手工焊接贴片元器件与焊接THT元器
- 试默写出色标法的色码定义。黑、棕、红、橙
- 半导体分立器件如何分类?
- 请总结再流焊的工艺特点与要求。
- 扩散炉中的管道一般都是用()制作。
- ICT的作用是什么?
- 下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。
- 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积
- 如何保存和正确使用焊锡膏?
- 静电释放的英文简述为()。
- 危害半导体工艺的典型金属杂质是()。
- 试叙述SMD集成电路的封装形式。并注意收